Snapdragon 815 będzie chłodniejszy od poprzednich generacji

Aktualizacja, 01/04/2015

Po Internecie od kilkunastu dni krążyły plotki dotyczące pośredniego układu SoC, który będzie wydajniejszą propozycją od Qualcomm Snapdragon 810, ale nie zagrozi flagowej propozycji Snapdragon 820. Już zapewne wielu z Was domyśla się, mowa tutaj o Qualcomm Snapdragon 815, który nigdy nie zadebiutuje.

Qualcomm Snapdragon 815 miał zostać wyposażony w cztery rdzenie ARM Cortex-A72 oraz cztery ARM Cortex-A53. Jednostka centralna miała zostać wytworzona 16-nanometrowym procesie technologicznym FinFET. Miała, gdyż Jon Carvill, starszy dyrektor Public Relations w amerykańskiej firmie Qualcomm poinformował, że nie trwają żadne prace nad tym układem mobilnym.

Firma skupia prace na układzie Qualcomm Snapdragon 820, który wytworzony będzie w 16 nm (FinFET) i opierać się będzie o platformę Zero, dedykowaną najbardziej wydajnym urządzeniom mobilnym. Oczekuje się, że pierwsze jednostki centralne zostaną udostępnione w drugiej połowie 2015 roku.

źródło: fudzilla via softpedia

Aktualizacja, 30/03/2015

Z ostatnich informacji wiemy już, że nadchodzący Qualcomm Snapdragon 815 będzie chłodniejszy od układu Snapdragon 810, a teraz dowiadujemy się czyja to zasługa. Do Internetu przedostały się nowe informacje.

Zgodnie z informacjami przekazanymi przez serwis gizmochina, który nie zwykł linkować do źródła, 8-rdzeniowy, 64-bitowy Qualcomm Snapdragon 815 wyposażony zostanie w cztery rdzenie główne oparte o architekturę ARM Cortex-A72 oraz cztery rdzenie pomocnicze ARM Cortex-A53. Za wydajność graficzną odpowiadać ma układ Adreno nowej generacji. Układ SoC zostanie wytworzony w 16-nanometrowym procesie technologicznym FinFET.

Qualcomm Snapdragon 815 wykorzystuje technologię big.LITTLE, która umożliwia niezależną pracę rdzeni głównych oraz pomocniczych. Dzięki temu urządzenie mobilne będzie w stanie wykorzystać rdzenie pomocnicze do mniej zaawansowanych zadań, a tym samym zaoszczędzić energię.

Warto mieć na uwadze, że architektura ARM Cortex-A72 jest 3.5x szybsza od ARM Cortex-A15 z 2014 roku i o 1.9 x szybszy od Cortex-A57 (20 nm), a przy tym wykorzystuje do 75 procent mniej energii. Rdzenie mogą pracować z maksymalną częstotliwością taktowania 2.5 GHz.

źródło: gizmochina

Wcześniejsze informacje

Czytasz Snapdragon 810, myślisz jednostka centralna zastosowana w najnowszym smartfonie od HTC, która nagrzewa się do ponad 55 stopni Celsjusza. To aktualnie najgorętszy układ SoC od amerykańskiego koncernu od momentu prezentacji Snapdragon 801. Zdaje się, że Qualcomm wziął obie do serca obniżenie temperatury, a pierwsze efekty już możemy znaleźć w sieci.

Smartfon z wyświetlaczem o przekątnej pięciu cali i rozdzielczością HD (1280 x 720 pikseli) wykorzystujący moc obliczeniową nadchodzącego układu Snapdragon 815, któremu towarzyszyła 3-gigabajtowa pamięć operacyjna RAM, nagrzewał się znacznie mniej, niż modele z procesorami Snapdragon 801 oraz Snapdragon 810. Temperatura dochodziła do maksymalnie 38 stopni Celsjusza, a zatem o cztery stopnie mniej, niż przypadku Snapdragon 801 oraz mniej o sześć stopni w modelu z Snapdragon 810. Pomiar temperatury został przeprowadzony podczas rozgrywki w Asphalt 8: Airborne.

Qualcomm Snapdragon 815 to propozycja 8-rdzeniowej jednostki, która składać się będzie z czterech rdzeni głównych oraz czterech pomocniczych. Procesor wykorzystywać będzie technologię ARM big.LITTLE, a to oznacza, że rdzenie będą pracowały naprzemiennie (w zależności od zadań). Za grafikę odpowiadać będzie Adreno 450 oraz pamięć RAM LPDDR4. Układ SoC wytworzony zostanie w 20 nm procesie technologicznym i zostanie wzbogacony o modem LTE (cat.10).

źródło: stjsgadgets-portal